אָסצילאַציע אָפטקייט:4.0±0.5KHz
ראַטעד וואָולטידזש: 3Vo-p
אַפּערייטינג וואָולטידזש: 2~4Vo-p
ראַטעד קראַנט: 90mA מאַקס.ביי ראַטעד וואָולטידזש
קלאַנג דרוק לעוועלמינימום: 70dBביי 10 סענטימעטער ביי ראַטעד וואָולטידזש
שפּול קעגנשטעל:17±3Ω
אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: -40~+105°C
וואָג: 0.1 ג

האָוסינג מאַטעריאַל: LCP

גרייס: 4*4*2.0 מ״מ