איין-ווענד פּאָטענטיאָמעטער 3362 טיפּ KLS4-3362
ביטע אראפקאפיע PDF אינפֿאָרמאַציע:
פּראָדוקט דעטאַל
פּראָדוקט טאַגס
פּראָדוקט בילדער
 |  |  |  |
 |
פּראָדוקט אינפֿאָרמאַציע
איין קער סערמעט פּאָטענטיאָמעטער מיט 3362 טיפּ
עלעקטריקאַל טשאַראַקטעריסטיקס
נאָרמאַל קעגנשטעל קייט: 10Ω ~ 2מΩ
קעגנשטעל טאָלעראַנץ: ± 10%
טערמינאַל קעגנשטעל: ≤ 1% ר אָדער 2Ω מאַקס.
קאָנטאַקט קעגנשטעל ווערייישאַן: קרוו ≤ 3% ר אָדער 3Ω מאַקס.
ינסאַליישאַן קעגנשטעל: ר1≥ 1GΩ
וויטסטאַנד וואָולטידזש: 101.3kPa 500V, 8.5kPa 315V
עלעקטריקאַל רייזע: 210°±10
סוויווע קעראַקטעריסטיקס
מאַכט ראַנג (מאַקס. 220 וואלטס): +70 °C 0.5W, +125 °C 0W
טעמפּעראַטור קייט: -55 °C ~ +125 °C
טעמפּעראַטור קאָואַפישאַנט: ± 250פּפּם/°C;± 100ppm/°C
טעמפּעראַטור ווערייישאַן: △ר ≤ ± 2% ר, △(ואַב / ואַק) ≤ ± 1%
צונויפשטויס: 390m/s2, 4000 מאל △ר ≤ ± 1% ר
ווייבריישאַן: 10 ~ 2000 הז, 0.75 מם, 6 ה, △ר≤ ± 1% ר, △(ואַב / ואַק)≤ ± 2%
מאַכט ראַנג (מאַקס. 220 וואלטס): +70 °C 0.5W, +125 °C 0W
טעמפּעראַטור קייט: -55 °C ~ +125 °C
טעמפּעראַטור קאָואַפישאַנט: ± 250פּפּם/°C;± 100ppm/°C
טעמפּעראַטור ווערייישאַן: △ר ≤ ± 2% ר, △(ואַב / ואַק) ≤ ± 1%
צונויפשטויס: 390m/s2, 4000 מאל △ר ≤ ± 1% ר
ווייבריישאַן: 10 ~ 2000 הז, 0.75 מם, 6 ה, △ר≤ ± 1% ר, △(ואַב / ואַק)≤ ± 2%
קלימאַט קאַטעגאָריע: △ר≤3% ר, ר1≥100MΩ
עלעקטריקאַל ענדוראַנסע ביי 70 ℃: 0.5 וו, 1000 ה, △ר≤ ± 10% ר
מעטשאַניקאַל ענדוראַנסע: 200 סייקאַלז, △ר≤ ±10% ר
פעסט פייַכט היץ: △ר≤ ± 3% ר, ר1≥ 100MΩ
עלעקטריקאַל ענדוראַנסע ביי 70 ℃: 0.5 וו, 1000 ה, △ר≤ ± 10% ר
מעטשאַניקאַל ענדוראַנסע: 200 סייקאַלז, △ר≤ ±10% ר
פעסט פייַכט היץ: △ר≤ ± 3% ר, ר1≥ 100MΩ
גשמיות קעראַקטעריסטיקס
גאַנץ מעטשאַניקאַל אַרומפאָרן: 250 ° ± 10
גאַנץ מעטשאַניקאַל אַרומפאָרן: 250 ° ± 10
סטאַרינג טאָרק: ≤35מן.עם
נאָרמאַל פּאַקקאַגינג: 50 פּקס / רער
נאָרמאַל פּאַקקאַגינג: 50 פּקס / רער
